Die Deutsche Forschungsgemeinschaft hat ein Projekt zur Integration komplementärer Dünnfilmtransistoren auf Glas- und Foliensubstraten genehmigt. Dabei konzentrieren sich die Forschungsarbeiten auf organische p-Kanal und ZnO-basierte n-Kanal Transistoren, die mit einer gemeinsamen Metallisierungsebene verschaltet werden. Zusätzlich wird die Schaltgeschwindigkeit der individuellen Bauelemente durch eine Selbstjustierung der Elektroden maximiert. Wichtig sind diese Arbeiten für eine zukünftige “low cost – low performance“- Elektronik, z. B. zur Herstellung von gedruckten RFID-Funketiketten.
