Halbleiterprozesstechnik
Vorlesungsinhalt:
Ausgehend vom Siliziumkristall werden die einzelnen Prozessschritte zur Herstellung von integrierten Schaltungen vorgestellt. Dazu gehören thermische Oxidationsverfahren, fotolithografische Prozesse, Ätztechniken, Dotierverfahren, Beschichtungen, Metallisierungen und Reinigungsvorgänge. Aus diesen Prozessschritten entsteht ein Ablaufplan zur Integration von MOS-Transistoren bzw. CMOS-Schaltungen, die im Rahmen der Übungen selbst charakterisiert werden können. Die Vereinzelung der Chips, das Bonden sowie die Kapselung (packaging) der mikroelektronischen Schaltungen runden den Inhalt der Vorlesung ab.
Literatur:
Hilleringmann U.: Silizium-Halbleitertechnologie, Teubner-Verlag, 1999
Schumicki, P., Seegebrecht, P.: Prozesstechnologie, Springer-Verlag, 1991
Widmann, D., Mader H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen, Springer-Verlag, 1996