Halb­lei­ter­pro­zess­tech­nik

Vorlesungsinhalt:

Ausgehend vom Siliziumkristall werden die einzelnen Prozessschritte zur Herstellung von integrierten Schaltungen vorgestellt. Dazu gehören thermische Oxidationsverfahren, fotolithografische Prozesse, Ätztechniken, Dotierverfahren, Beschichtungen, Metalli­sierungen und Reinigungsvorgänge. Aus diesen Prozessschritten entsteht ein Ablaufplan zur Integration von MOS-Transistoren bzw. CMOS-Schaltungen, die im Rahmen der Übungen selbst charakterisiert werden können. Die Vereinzelung der Chips, das Bonden sowie die Kapselung (packaging) der mikroelektronischen Schaltungen runden den Inhalt der Vorlesung ab.

Literatur:

Hilleringmann U.: Silizium-Halbleitertechnologie, Teubner-Verlag, 1999
Schumicki, P., Seegebrecht, P.: Prozesstechnologie, Springer-Verlag, 1991
Widmann, D., Mader H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen, Springer-Verlag, 1996

Unterlagen zur Vorlesung und Übung in koaLA