Im Rahmen des Seminars Sensortechnik hält Herr Varun Trivedi am 10.08.2017, um 09:00 Uhr, im Raum P8.4.09 seinen Vortrag mit dem Titel "Optical Distance Sensors".
Am 13.06.2017 fand die mündliche Prüfung im Promotionsverfahren von Herrn Dipl.-Ing. Christian Hangmann statt. Das Thema seiner Arbeit war „Hocheffiziente Modellierung, Charakterisierung und Analyse von Mixed-Signal Phasenregelkreisen unter Berücksichtigung von nichtlinearen und nicht-idealen Effekten“ Das Fachgebiet Sensorik gratuliert zur bestandenen Prüfung und wünscht alles Gute für den weiteren Werdegang!
Im Rahmen seiner Projektarbeit hält Herr Tobias Brockschmidt am 19.06.2017, um 13:00 Uhr, im Raum P8.4.09 seinen Vortrag mit dem Titel "Dünnschichttransitoren auf Basis des Dielektrikums Inoflex T3 und des organischen Halbleiters C8-BTBT".
Im Rahmen seiner Masterarbeit hält Herr Mohit Lalwani am 08.05.2017, um
13:00 Uhr, im Raum P8.4.09 seinen Vortrag mit dem Titel "Sol-Gel layers in MEMS Technology".
Im Rahmen seiner Bachelorarbeit hält Herr Simon Johannliemke am 24.04.2017, um 13:00 Uhr, im Raum P8.4.09 seinen Vortrag mit dem Titel "Nasschemisches Ätzen von Silizium zur Unterätzung von optischen Siliziumdioxid Strukturen".
Im Rahmen seiner Masterarbeit hält Herr Mohit Lalwani am 08.05.2017, um
13:00 Uhr, im Raum P8.4.09 seinen Vortrag mit dem Titel "Sol-Gel layers in MEMS Technology".
Ein „Kostengünstiger Sensorchip zur Wasserqualitätsanalyse“ wird im Rahmen eines vom BMBF geförderten 4-jährigen Kooperationsprojekts mit der Universität in Pretoria entwickelt. Dabei steht die schnelle Analyse von Abwasserproben aus Minen und Klärwerken im Vordergrund. Gemeinsam mit den Partnern vom „Carl Emily Fuchs Institute for Microelectronics“ wird ein Sensorsystem zur kapazitiven und optischen Analyse der Wasserqualität aufgebaut und…
Am 07.03.2017 fand die mündliche Prüfung im Promotionsverfahren von Herrn Fábio Fedrizzi Vidor statt. Das Thema seiner Arbeit war "ZnO Thin-Film Transistors for Cost-Efficient Flexible Electronics". Das Fachgebiet Sensorik gratuliert zur bestandenen Prüfung und wünscht alles Gute für den weiteren Werdegang!
Am Montag, 06.03.2017 hält Herr Prof. G. I. Wirth von der Universität in Porto Alegre einen Vortrag zum Thema „Random Telegraph Signal in Short Channel Field Effect Transistors“. Prof. Wirth ist ein international anerkannter Wissenschaftler im Bereich der Fallenzustände in Gate-Dielektrika. Er berichtet über die Lokalisation von Defektstellen im Kanalbereich von NMOS-Transistoren mit 120 nm Kanallänge.
Hierzu laden wir alle Interessierten…