Am Montag, 06.03.2017 hält Herr Prof. G. I. Wirth von der Universität in Porto Alegre einen Vortrag zum Thema „Random Telegraph Signal in Short Channel Field Effect Transistors“. Prof. Wirth ist ein international anerkannter Wissenschaftler im Bereich der Fallenzustände in Gate-Dielektrika. Er berichtet über die Lokalisation von Defektstellen im Kanalbereich von NMOS-Transistoren mit 120 nm Kanallänge.
Hierzu laden wir alle Interessierten herzlich ein.